на главную Написать письмо карта сайта

 

Рус / Eng

 
 

Новости

Семинары и конференции

Защиты диссертаций

 
 
   

Вопросы физики новых твердотельных систем

Тематический семинар Курчатовского комплекса НБИКС-технологий НИЦ "Курчатовский институт"

Руководитель: В.А. Демин

По вопросам работы семинара обращаться к секретарю семинара Андрею Вячеславовичу Емельянову,

тел: 66-28; +7 (926) 483-02-04, e-mail: Emelyanov_AV@nrcki.ru

 

 

2017 год

 

30 марта (четверг) в 15:30, здание 190, аудитория 378

1. Тема: "Энергетический спектр и примесные состояния ванадия в узкощелевых полупроводниках на основе теллурида свинца"

Докладчик: А.И. Артамкин (научный сотрудник, кандидат физико-математических наук, МГУ им.М.В. Ломоносова)

 

Аннотация:

Проанализирован характер изменения гальваномагнитных свойств монокристаллов PbTe(V) при изменении содержания легирующей примеси. Определено влияние межпримесной корреляции на величину подвижности носителей заряда. Исследована температурная зависимость гальваномагнитных параметров монокристаллов Pb1 - xMnxTe(V). Получена зависимость энергии активации примесных состояний в зависимости от содержания марганца. На основании зависимостей действительной и мнимой частей проводимости от частоты делается вывод о прыжковой проводимости, что связывается с процессами перезарядки примесных центров. Отсутствие эффекта задержанной фотопроводимости в Pb1 - xMnxTe(V) связывается с величиной рекомбинационных барьеров в Pb1 - xMnxTe(V). Исследована кинетика фотопроводимости монокристаллов PbTe(V) при похождении лазерных импульсов с длиной волны 90, 148, 280 мкм в температурном диапазоне от 8 до 300 К. На основе анализа кинетики фотопроводимости в зависимости от температуры и длины волны падающего излучения сделаны выводы о механизмах терагерцовой фотопроводимости.

 

2. Рассмотрение принятых к печати и подготовленных к публикации в 2017 году научных работ, включенных в международную базу цитирования Web of Science, выполненных сотрудниками НИЦ "Курчатовский институт" или в соавторстве с ними.

 

 

2 марта

1. Тема: "Разработка СВЧ монолитных интегральных схем на основе нитридных гетероструктур в НИЦ "Курчатовский институт"

Докладчик: М.Л. Занавескин (кандидат физико-математических наук, руководитель Отдела прикладных наноэлектронных структур НИЦ "Курчатовский институт")

 

Аннотация:

Работы НИЦ "Курчатовский институт" в области нитридной электроники направлены на полный цикл создания монолитных интегральных схем СВЧ диапазона до 100 ГГц и выше: получение гетероструктур, разработка оригинальной технологии создания компонентной базы и проектирование монолитных интегральных схем. Ближайшая перспектива - разработка технологии производства гетероструктур и технологии создания интегральных схем.

 

Основные тренды развития в нитридной СВЧ электронике – это повышение рабочих частот, увеличение удельных мощностей и понижение шумов транзисторов в интегральных схемах. Следует подчеркнуть, что в НИЦ "Курчатовский институт" создана уникальная для России инфраструктура, которая позволяет взяться за решение всех актуальных научно-технологических вызовов современной нитридной СВЧ электроники. Сочетание различных ростовых технологий, современного парка оборудования для создания микроэлектронных устройств, а также широкого спектра аналитического оборудования позволит в срок один-два года разработать не имеющую аналогов в России технологическую платформу для создания монолитных СВЧ интегральных схем на частотный диапазон до 100 ГГц и выше.

 

На настоящий момент в НИЦ "Курчатовский институт":

-  Разработана уникальная для РФ технология роста нитридных гетероструктур приборного качества с ультратонкими барьерными слоями до 3-5 нм, необходимых для создания МИС на диапазон до 100 ГГц и выше.

-  Разработана технология получения доращиваемых контактов к двухмерному электронному газу, достигнуты значения удельного сопротивления контактов 0,1 Ом мм.

-  Разработана оригинальная технология, позволяющая создавать транзисторы с расстоянием исток-сток менее 1 мкм.

-  Разработанные технологии применены при создании ряда изделий, включая усилитель мощности на диапазон 92-96 ГГц.

 

Работы ведутся на основе подложек сапфира, карбида кремния собственного производства и отечественных эпитаксиальных структур AlGaN/GaN. НИЦ "КИ" принимал участие в создании усилителей 92-96 ГГц для спутниковых систем связи.

 

2. Рассмотрение принятых к печати и подготовленных к публикации в 2017 году научных работ, включенных в международную базу цитирования Web of Science, выполненных сотрудниками НИЦ "Курчатовский институт" или в соавторстве с ними.

 

 

 

Архив семинара