Директор:ГАМКРЕЛИДЗЕ Сергей Анатольевич |
Адрес института:117105, Москва, Нагорный проезд, дом 7, стр. 5 |
Сайт:
|
|
ФГАНУ ИСВЧПЭ РАН
ИСВЧПЭ был основан одним из ведущих российских специалистов в области микроэлектроники Владимиром Мокеровым в 2002 году. Тематика института – фундаментальные и поисковые исследования, прикладные разработки в области сверхвысокочастотной (СВЧ) и крайне высокочастотной (КВЧ) полупроводниковой электроники.
Сегодня ИСВЧПЭ – лидер в России в сфере разработки технологий изготовления изделий СВЧ электроники на основе нитридных гетероструктур. Развитие приборов на нитриде галлия – приоритетное направление СВЧ электроники в России и в мире. В институте действует дизайн-центр моделирования, проектирования и технологической разработки наногетероструктурных СВЧ транзисторов и СВЧ монолитных интегральных схем.
В 2023 г. Распоряжением Правительства Российской Федерации от 7 февраля 2023 г. № 268-р институт вошел в состав Национального исследовательского центра "Курчатовский институт".